欧美亚洲激情在线,精品亚洲欧美高清不卡高清 ,久久久午夜精品,天天操天天摸天天干

廣東可易亞半導體科技有限公司

國家高新企業

cn en

新聞中心

4N60mos管現貨供應商 KIA4N60 4A/600V參數 PDF文件下載-KIA 官網

信息來源:本站 日期:2018-03-21 

分享到:

1、KIA4N60產品描述

KIA4N60HN溝道增強型硅柵功率MOSFET是專為高電壓,高速功率開關應用,如開關穩壓器,開關變換器,螺線管,電機驅動器,繼電器驅動程序


2、KIA4N60特征

RDS(ON)= 2.3Ω@ VGS = 10v

低柵極電荷(典型的13.5nc)

高耐用性

快速切換的能力

雪崩能量

改進的dt/dt能力


3、KIA4N60參數

產品型號:KIA4N60

工作方式:4A/600V

漏源電壓:600V

柵源電壓:±30A

漏電流連續:4.0A

脈沖漏極電流:16A

雪崩電流:9.3mJ

雪崩能量:180mJ

耗散功率:93W

熱電阻:62.5℃/W

漏源擊穿電壓:600V

溫度系數:0.6V/℃

柵極閾值電壓:2.0V

輸入電容:500PF

輸出電容:45PF

上升時間:32ns

封裝形式:TO-251、252、220、220F、262


KIA4N60
產品編號 KIA4N60 4A/600V
產品特征

RDS(ON)= 2.3Ω@ VGS = 10v

低柵極電荷(典型的13.5nc)

高耐用性

快速切換的能力

雪崩能量

改進的dt/dt能力

適用范圍 適用功率開關應用,如開關穩壓器,開關變換器,螺線管,電機驅動器,繼電器驅動程序等
封裝形式 TO-251、252、220、220F、262
PDF文件 【直接在線預覽】
LOGO
廠家 KIA原廠家
網址 www.kiaic.com
PDF頁總數 總6頁

聯系方式:鄒先生

聯系電話:0755-83888366-8022

手機:18123972950

QQ:2880195519

聯系地址:深圳市福田區車公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1


關注KIA半導體工程專輯請搜微信號:“KIA半導體”或點擊本文下方圖片掃一掃進入官方微信“關注”。

長按二維碼識別關注