控制板mos,10a800v高壓,KNF6180A場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-03-03
控制板mos管KNF6180A漏源擊穿電壓800V，漏極電流10A；采用專用新型技術(shù)生產(chǎn)，極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 1.0Ω，可最大限度地降低導(dǎo)通電阻，提供卓越的開關(guān)性能；快速恢復(fù)體二極管、低柵極電荷、低反向傳輸電容，減少開關(guān)損耗，快速切換，穩(wěn)定可靠；廣泛應(yīng)用于ATX電源、液晶面板電源等；封裝形式：TO-220F。
漏源電壓：800V
漏極電流：10A
柵源電壓：±30V
單脈沖雪崩能量：460MJ
功率耗散：55W
閾值電壓：2-4V
總柵極電荷：60nC
輸入電容：2910PF
輸出電容：195PF
反向傳輸電容：25PF
開通延遲時(shí)間：20nS
關(guān)斷延遲時(shí)間：68nS
上升時(shí)間：10ns
下降時(shí)間：23ns
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