P溝道 MOS管KIA7P03A -7.5A-30V 參數資料 原廠現貨直銷-KIA MOS管
信息來源:本站 日期:2022-03-17
KIA7P03A是高密度溝槽p-CH MOSFET,提供出色的導通電阻和大多數同步降壓轉換器應用的柵極電荷。KIA7P03A滿足RoHs和綠色產品要求。
RDS(ON)= 18mΩ(典型值)@ VGS = 10 V
超低柵電荷
綠色的可用設備
優良的CDV / dt效應遞減
先進的高密度溝槽技術
產品型號:KIA7P03A
工作方式:-7.5A/-30V
漏源電壓:-30V
柵源電壓:±20V
漏電流連續:-7.5A
脈沖漏極電流:-50A
雪崩電流:-38A
雪崩能量:72.2mJ
耗散功率:31W
熱電阻:40℃/W
漏源擊穿電壓:-30V
溫度系數:-0.022V/℃
柵極閾值電壓:2.5V
輸入電容:1345PF
輸出電容:194PF
上升時間:19.6ns
封裝形式:SOP-8
KIA7P03APDF文件在線預覽
廣東可易亞半導體科技有限公司是一家專業從事中、大、功率場效應管(MOSFET)、快速恢復二極管、三端穩壓管開發設計,集研發、生產和銷售為一體的國家高新技術企業。
KIA半導體的產品涵蓋工業、新能源、交通運輸、綠色照明四大領域,不僅包括光伏逆變及無人機、充電樁、這類新興能源,也涉及汽車配件、LED照明等家庭用品。KIA專注于產品的精細化與革新,力求為客戶提供最具行業領先、品質上乘的科技產品。
聯系方式:鄒先生
聯系電話:0755-83888366-8022
手機:18123972950
QQ:2880195519
聯系地址:深圳市福田區車公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1
請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關注”官方微信公眾號
請“關注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術幫助
免責聲明:本網站部分文章或圖片來源其它出處,如有侵權,請聯系刪除。