P溝道 MOS管KIA7P03A -7.5A-30V 參數資料 原廠現貨直銷-KIA MOS管
P溝道 MOS管KIA7P03A -7.5A-30V產品描述
KIA7P03A是高密度溝槽p-CH MOSFET，提供出色的導通電阻和大多數同步降壓轉換器應用的柵極電荷。KIA7P03A滿足RoHs和綠色產品要求。
P溝道 MOS管KIA7P03A -7.5A-30V特征
RDS（ON）= 18mΩ（典型值）@ VGS = 10 V
超低柵電荷
綠色的可用設備
優良的CDV / dt效應遞減
先進的高密度溝槽技術
P溝道 MOS管KIA7P03A -7.5A-30V封裝圖
P溝道 MOS管KIA7P03A -7.5A-30V參數
產品型號：KIA7P03A
工作方式：-7.5A/-30V
漏源電壓：-30V
柵源電壓：±20V
漏電流連續：-7.5A
脈沖漏極電流：-50A
雪崩電流：-38A
雪崩能量：72.2mJ
耗散功率：31W
熱電阻：40℃/W
漏源擊穿電壓：-30V
溫度系數：-0.022V/℃
柵極閾值電壓：2.5V
輸入電容：1345PF
輸出電容：194PF
上升時間：19.6ns
封裝形式：SOP-8
KIA7P03APDF文件在線預覽
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KIA半導體的產品涵蓋工業、新能源、交通運輸、綠色照明四大領域，不僅包括光伏逆變及無人機、充電樁、這類新興能源，也涉及汽車配件、LED照明等家庭用品。KIA專注于產品的精細化與革新，力求為客戶提供最具行業領先、品質上乘的科技產品。
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