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場效應管圖標與特性干貨解析-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2021-01-13 

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場效應管圖標與特性干貨解析-KIA MOS管


場效應管圖標符號

場效應管圖標:場效應管一般具有3個電極:柵極G、源極S和漏極D(雙柵場效應管有4個電極:柵極G1、極柵G2、源極S和漏極D)。


場效應管的柵極G、源極S和漏極D的功能分別對應于雙極型晶體管的基極B、發射極E和集電極C。由于場效應管的源極S和漏極D是對稱的,實際使用中在多數情況下都可以互換。


場效應管的特性曲線類型比較多,根據導電溝道的不同,以及是增強型還是耗盡型可有四種轉移特性曲線和輸出特性曲線,其電壓和電流方向也有所不同。


如果按統一規定正方向,特性曲線就要畫在不同的象限為了便于繪制,將P溝道管子的正方向反過來設定(電流方向)。有關曲線繪于下圖之中。


結型場效應管N溝道


場效應管圖標


結型場效應管P溝道


場效應管圖標


絕緣柵場效應管N溝道增強型


場效應管圖標


絕緣柵場效應管N溝道耗盡型


場效應管圖標


絕緣柵場效應管P溝道增強型


場效應管圖標


絕緣柵場效應管P溝道耗盡型


場效應管圖標


四種MOS管的比較:

1.對于P溝道器件,VDD必為負值,襯底必須接在電路中的最高電位上。對于N溝道器件,VDD必為正值, 襯底必須接在電路中的最低電位上。


2.就UGS而言,增強型器件是單極性的,其中P溝道為負值,N溝道為正值,而耗盡型器件則可正可負。


3.N溝道器件,UGS向正值方向增大,ID越大; P溝道器件,UGS越向負值方向增大,ID越大。





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