欧美亚洲激情在线,精品亚洲欧美高清不卡高清 ,久久久午夜精品,天天操天天摸天天干

廣東可易亞半導體科技有限公司

國家高新企業

cn en

新聞中心

什么是浮柵場效應管?干貨解析-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2021-01-12 

分享到:

什么是浮柵場效應管?干貨解析-KIA MOS管


浮柵場效應管解析

閃存(Flash)技術利用的場效應管就是浮柵場效應管。


FLASH技術是采用特殊的浮柵場效應管作為存儲單元。這種場效應管的結構與普通場管有很大區別。它具有兩個柵極,一個如普通場管柵極一樣,用導線引出,稱為“選擇柵”;另一個則處于二氧化硅的包圍之中不與任何部分相連,這個不與任何部分相連的柵極稱為“浮柵”。


通常情況下,浮柵不帶電荷,則場效應管處于不導通狀態,場效應管的漏極電平為高,則表示數據1。編程時,場效應管的漏極和選擇柵都加上較高的編程電壓,源極則接地。


這樣大量電子從源極流向漏極,形成相當大的電流,產生大量熱電子,并從襯底的二氧化硅層俘獲電子,由于電子的密度大,有的電子就到達了襯底與浮柵之間的二氧化硅層,這時由于選擇柵加有高電壓,在電場作用下,這些電子又通過二氧化硅層到達浮柵,并在浮柵上形成電子團。


浮柵上的電子團即使在掉電的情況下,仍然會存留在浮柵上,所以信息能夠長期保存(通常來說,這個時間可達10年)。由于浮柵為負,所以選擇柵為正,在存儲器電路中,源極接地,所以相當于場效應管導通,漏極電平為低,即數據0被寫入。


擦除時,源極加上較高的編程電壓,選擇柵接地,漏極開路。根據隧道效應和量子力學的原理,浮柵上的電子將穿過勢壘到達源極,浮柵上沒有電子后,就意味著信息被擦除了。


由于熱電子的速度快,所以編程時間短,并且數據保存的效果好,但是耗電量比較大。


浮柵場效應管


浮柵

Flash最基本的單元為浮柵場效應管。浮柵是一種特殊的MOS晶體管。


這種MOS晶體管有兩個多晶硅形成的柵極, 其中一個有電氣連接, 叫控制柵, 也就是一般意義上的柵極; 還有一個沒有外引線, 它被完全包裹在一層二氧化硅介質層里面, 是浮空的, 所以稱之為浮柵。


工作原理

浮柵MOS晶體管的工作原理是利用浮柵上存儲的電荷量來改變MOS管的閾值電壓,從而改變MOS管的外部特性。


過程描述如下:當MOS管柵極加上較高的電壓(20V左右),源極接地,漏極浮空,然后會產生大量高能電子,由于電子密度大,有的電子到襯底和浮柵之間的二氧化硅層,由于選擇柵有高電壓,這些電子通過隧穿氧化層(Tunnel Oxide)到達浮柵。


當移除外部電壓,由于浮柵沒有放電回路,所以電子會留在浮柵上。當浮柵帶有電子,襯底表面感應的是正電荷,這樣使得MOS管導通電壓變高。


反之,當控制柵極接地,襯底加上較高電壓,源、漏極開路,電子會從浮柵中“吸出”,MOS管導通電壓變低。


浮柵中電荷量,影響到MOS管的導通電壓,從而代表不同的存儲信息。比如說一個杯子,沒有水的時候,代表“0”,當水超過一半,代表“1”。


不足

浮柵中存在泄漏的情況,使得電子在浮柵上的保持特性受到影響。主要有:直接隧穿效應、熱激發、浮柵上電子陷阱:在浮柵充電過程中,電子被電子陷阱捕獲,從而使得浮柵的電位降低,導致降低在Control Gate上加的電壓影響。


總結

所以降低隧穿氧化層缺陷、提高隧道氧化層和兩層多晶硅之間的氧化層質量就成了關鍵的問題。


對于我們使用者來說,由于隧穿會損傷隧穿氧化層,所以磨損均衡就很重要了。另外把性能差的挑選出來,不去使用,也是重要的問題。


廣東可易亞半導體科技有限公司是一家專業從事中、大、功率場效應管(MOSFET)、快速恢復二極管、三端穩壓管開發設計,集研發、生產和銷售為一體的國家高新技術企業。


浮柵場效應管


浮柵場效應管


從設計研發到制造再到倉儲物流,KIA半導體真正實現了一體化的服務鏈,真正做到了服務細節全到位的品牌內涵,我們致力于成為場效應管功率器件領域的領跑者,為了這個目標,KIA半導體正在持續創新,永不止步!





聯系方式:鄒先生

聯系電話:0755-83888366-8022

手機:18123972950

QQ:2880195519

聯系地址:深圳市福田區車公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1


請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關注”官方微信公眾號

請“關注”官方微信公眾號:提供  MOS管  技術幫助