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KIA半導體MOS管 KNX4760A 8A/600V原廠價格采購 免費送樣-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2019-04-17 

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MOS管,KNX4760A,8A/600V

MOS管 KNX4760A產品特征

專業平面新技術

RDS(ON),typ.=0.85Ω@VGS=10V

低柵極電荷使開關損耗最小化

快恢復體二極管


MOS管 KNX4760A產品應用領域

適配器充電器

SMPS電源

液晶面板電源


MOS管 KNX4760A封裝


MOS管,KNX4760A,8A/600V


MOS管 KNX4760A 8A/600V主要參數

漏源電壓:600V

柵源電壓:±30V

連續漏電流:8.0A

單脈沖雪崩能量:580MJ

峰值二極管恢復dv/dt:5.0V/ns

漏源擊穿電壓:600V

輸入電容:1250pF

輸出電容:110pF

反向轉移電容:16pF

漏源二極管正向電壓:1.5V

連續漏源電流:8A


MOS管 KNX4760A 8A/600V規格書

查看及下載規格書,請點擊下圖。


MOS管,KNX4760A,8A/600V



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