KNP2803S場效應管漏源電壓30V，漏極電流150A，采用先進的溝槽加工技術，實現極...KNP2803S場效應管漏源電壓30V，漏極電流150A，采用先進的溝槽加工技術，實現極低的導通電阻RDS(開啟) 2.0mΩ，最大限度地減少導通損耗；低柵極電荷、低反向傳輸電...
如圖所示，用12V直流電給變壓器初級繞組供電，MOS管Q1控制初級繞組的通斷。穩壓...如圖所示，用12V直流電給變壓器初級繞組供電，MOS管Q1控制初級繞組的通斷。穩壓管D3和R3用于保護MOS管（出入端有大電壓時，穩壓管發生齊納擊穿，將能量快速傳遞到...
220v的交流電經過T0雙向濾波環節，以抑制干擾。隨后，D1將其整流為脈動直流，再...220v的交流電經過T0雙向濾波環節，以抑制干擾。隨后，D1將其整流為脈動直流，再經由C11進行濾波，從而得到穩定的約300V直流電。在這條電路中，U1作為TL3842脈寬調...
KNY2803A場效應管漏源電壓30V，漏極電流150A，采用先進的溝槽加工技術，實現極...KNY2803A場效應管漏源電壓30V，漏極電流150A，采用先進的溝槽加工技術，實現極低的導通電阻RDS(開啟) 2.2mΩ，最大限度地減少導通損耗；低柵極電荷、改進的dv/dt能...
當IO是高電平時，三極管Q1導通，GNDQ信號傳遞到MOS管Q3的G極，此時Vgs=-20V，M...當IO是高電平時，三極管Q1導通，GNDQ信號傳遞到MOS管Q3的G極，此時Vgs=-20V，MOS管導通。 當IO是低電平時，三極管Q1關閉，20V信號傳遞到MOS管QQ3的G極，此時Vgs=...
